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eVoS LE Bias Solution

eVoS® LE 是一款非对称偏压波形发生器，旨在直接控制等离子体刻蚀和沉积工艺中的晶圆表面电压以及由此产生的离子能量分布（IED）。eVoS 系统由双向电压源与独立电流源组成，用于建立和控制晶圆表面电位。eVoS 的非对称输出消除了正弦射频偏压应用固有的晶圆偏压限制。快速数字测量技术与创新的控制算法相结合，可生成近单能量的 IED。通过使用附加参数，可定制晶圆表面电压的平均值和时变特性，以及由此产生的离子能量分布。
特点

  • 能够产生近单能的离子能量分布

  • 具备脉冲功能，并提供同步所需的输入和输出信号

  • 一体化设计和紧凑的尺寸消除了对匹配网络的需求

  • 高速测量技术提供实时偏压和离子电流反馈

  • 窄峰、宽峰和多峰分布

  • 可适配标准腔室接口


益处

  • 直接控制晶圆偏压及由此产生的离子能量

  • 与射频偏压法相比，可获得更优的离子能量选择/区分能力

  • 显著提高刻蚀选择性，从而缩短工艺时间，并形成更笔直、更深的微结构

  • 通过采用“恰当功率”仅提供有效离子能量，从而降低功耗

  • 简化偏压电源集成


规格

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