等离子电源产品
功率输出系统
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eVoS ME Bias Solution

随着芯片尺寸的缩小和高长宽比结构的出现，对离子能量的精确控制变得至关重要。凭借 eVoS® 平台，AE 带来了偏压技术领域的范式转变。通过最大限度地提升离子能量的可调性，eVoS 能够在极微小的尺寸下精确控制刻蚀和沉积几何形状。对晶圆表面电压和离子能量分布 (IED) 的直接控制，使工艺工程师能够针对特定的工艺结果优化偏压性能，从而确保敏感特征的形成。此外，凭借高速数字测量技术与创新的控制算法，相比其他技术，eVoS® 能够实现更窄的离子能量分布。这些能力彻底改变了等离子体加工的可能。
特点

  • 实时偏压和离子电流反馈

  • 优化波形以控制离子能量

  • 高速测量

  • 多级脉冲控制，直流电平响应迅速

  • 用于脉冲同步的输入和输出信号

  • 闭环控制

  • EtherCat® 通信

  • 高效率

益处

  • 改进的工艺控制

  • 直接控制晶圆偏压及相应的离子能量

  • 窄离子能量分布

  • 高精度离子能量选择

  • 在降低输入功率的同时提高刻蚀速率

  • 简化的系统设计与集成

规格

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